Pekin Üniversitesi’nde misyonlu bilim insanları, silikon kullanmadan çalışan yeni bir transistör geliştirdiklerini açıkladı. Bu yenilik, şayet ticarileştirilirse, işlemci dizaynında ihtilal yaratabilir.
SİLİKON YERİNE YENİ GEREÇ
Techradar’da yer alan habere nazaran araştırmacıların geliştirdiği bu yeni transistör, bismuth oxyselenide isimli iki boyutlu bir malzeme üzerine inşa edildi. Yeni mimari, “gate-all-around” (GAAFET) olarak bilinen bir yapı kullanıyor. Bu yapıda, transistörün “gate” bölgesi kanalın tamamını sarıyor.
Günümüzün en gelişmiş FinFET transistörlerinde ise gate sadece kanalın üç tarafını çevreleyebiliyor. GAAFET yapısı, gate ile kanal ortasındaki teması azamiye çıkararak güç kaybını azaltıyor ve daha âlâ akım denetimi sağlıyor.
PERFORMANSTA BÜYÜK SIÇRAMA
Saygın bilim dergisi Nature Materials’da yayımlanan makaleye nazaran, geliştirilen 2D GAAFET transistörler, Intel’in en yeni 3nm çiplerinden yüzde 40 daha süratli çalışıyor ve yüzde 10 daha az güç harcıyor. Bu, TSMC ve Samsung’un şimdiki işlemcilerinin önüne geçebileceği manasına geliyor.
Araştırmacılar ayrıyeten bu transistörleri kullanarak küçük mantık devreleri de oluşturduklarını duyurdu. Yani teknoloji yalnızca teorik kalmadı; pratik uygulamaları da mevcut. Pekin Üniversitesi ise hususla ilgili epey savlı: “Bu şimdiye kadar yapılmış en süratli ve en verimli transistör.”
Bu argümanlar, Intel ve TSMC’nin kullandığı ticari test şartlarıyla birebir aynı ortamda yapılan ölçümlerle destekleniyor.
SİLİKON EVRESİ SONA MI ERİYOR?
Transistör teknolojisi onlarca yıldır silikon üzerine heyeti. Fakat boyutlar küçüldükçe ve performans sonlarına yaklaşıldıkça, mühendisler alternatif materyallere yöneliyor. İşte Pekin Üniversitesi’nin geliştirdiği bu silikonsuz, 2D GAAFET transistör, bu arayışta değerli bir dönüm noktası olabilir.
Yine de bu teknolojinin ticarileşmesi için şimdi vakit var. Seri üretim, istikrar, maliyet ve uyumluluk üzere birçok zorluğun aşılması gerekiyor. Fakat uzmanlar, bu gelişmenin silikon sonrası devrin kapılarını araladığını düşünüyor.
